3M晶圆临时键合和解键合的一站式解决方案
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为了满足物联网、5G、多层芯片堆叠的需求提升、以及增强现实和虚拟现实以及其他全球技术趋势所提出的全新计算和设计要求，IC制造商已经转向先进封装解决方案，以便在减少空间占用的情况下实现高密度集成，同时提升芯片性能。
3M公司已经开发出3M™ 晶圆支撑系统（3M WSS）等解决方案——通过解决关键的耐高温和耐化学性挑战，帮助客户实现晶圆和面板级封装及其复杂的扇出型晶圆和面板级对应产品。
3M公司配备全球材料专家团队，可以及时帮助客户进行评估，满足客户在技术方面的要求，以实现无缝集成。我们的目标是帮助客户确定工艺兼容性并及时提供解决方案，覆盖从初步测试到大规模生产的整个过程。
半导体先进封装的主要趋势
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扇出型晶圆级封装（FOWLP）
在FOWLP封装中，前端加工的晶圆在后端加工过程中被临时键合到一个刚性载体上以获得支撑，然后从载体上解键合并划片。然后，每个晶圆被仔细地重新排列在晶圆或面板上，填补空隙。形成一个重组的晶圆（或面板），空间（间隙已被填补）作为“扇出型”连接点。
扇出型面板级封装（FOPLP）
扇出型面板级封装，顾名思义，就是在扇出型晶圆级封装的基础上更进一步，可以在一个大的方形面板上封装和切割，因此可以比在晶圆上切割出更多的晶粒，进一步降低费用。
异质集成
异质集成通过不同的工艺制造不同的组件（芯片、MEMS、传感器等），并将它们组合成整体封装。因此，该封装可以确保更好的功能和运营效益（系统级性能、整体运营成本）。
3M临时键合和解键合的一站式解决方案
目标应用：IGBT、FOWLP、LED、MEMS、3D TSV、异构集成
3M WSS——一个完整的 IGBT 和晶圆级封装解决方案——将世界一流的设备与 3M 液态紫外线固化粘合剂相结合，以实现晶圆减薄和高温 FOWLP 和 FOPLP 过程。
将晶圆临时键合到玻璃载片上，可提供刚性、均匀的支撑表面，从而最大限度地减少后续加工步骤中晶圆上的应力，从而减少翘曲、开裂、边缘碎裂，并提高产量。
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3M WSS创新的下一步
我们目前正在开发胶粘剂技术，旨在通过超高温铜与铜的结合过程保持非氧化物表面，从而实现异质集成。
请联系3M材料专家，了解更多关于我们如何处理铜热压及其对异质集成的影响。
3M WSS的其他产品适应性测试包括：
- 旋涂材料在固化前的流变性
- 紫外线固化和时间要求
临时键合和解键合的工艺流程
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A.半导体晶圆 B.3M™ 液体紫外线固化胶粘剂 C.3M™ 光热转换脱模剂（LTHC涂层） D.玻璃载体 E.3M™ 晶圆揭模胶带 3305
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3M WSS解决方案轻松助力键合和解键合，每小时的产量可超过22块晶圆。
1. 将硅片粘接到玻璃载体上
- 快速固化，无需热后固化步骤
2.晶背研磨
- 晶圆研磨后整体厚度偏差（TTV）较小（300mm晶圆的TTV通常为2um）
3.晶背处理
- 良好的耐高温性（高达180摄氏度，持续1小时）
- 在各种工艺化学制品中具有良好的耐化学性，低放气量
4.贴晶圆切割胶带
5.激光解键合
6.玻璃载体剥离
- 无应力
7.剥去UV胶层
- 容易去除，无残留
减少缺陷，提高利润
100多年来，产品测试始终是3M公司提供高质量解决方案的重要步骤——3M WSS也不例外。我们的材料经过了严格的粘附性、耐高温性和耐化学性测试，能够承受扇出型晶圆级封装（FOWLP）和扇出型面板级封装（FOPLP）所需的新工艺、时间、温度和基材要求。
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我们分析了许多不同的材料特性，包括：
- 在应用工艺和高温暴露后仍可粘附于硅和其他处理后表面
- 对特定工艺（电镀等）的耐化学性，以及晶圆浸泡一定时间和温度（抛光等）后的重量损失/增加
- 高温处理后的重量损失（电介质固化、等离子体、溅射等）
- 残留物分析
- 胶粘剂的物理特性（模量、玻璃态转化温度、拉伸性能/伸长率等）
3M技术专家可以与您和您的团队合作，在全球产品开发实验室和生产基地的直接支持下，针对特定的热、时间和化学要求，确定合适的解决方案。
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