3M半导体先进封装工艺保护解决方案
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5G、自动驾驶、物联网和其他新兴技术等应用的设备拓展和设计要求，推动了对先进IC封装的需求，要构建更小、更薄、更快、功能更强的芯片。制造这些先进芯片意味着更多的加工步骤，温度会升高，化学性能要求也不同。
3M™ 耐高温聚酰亚胺胶带专为不同的高温和化学工艺开发，协助您保护传感器和先进基板，并探索未来更多的可能性。即将推出的凸块保护产品致力于先进封装中凸点保护工艺。
无论您需要测试材料的兼容性，还是遇到新的需求挑战，我们的专业科学家团队都能在每个环节分享知识，全球产品开发团队和生产基地也会提供相应支持。3M致力于更好的先进封装工艺保护。
保护的不仅仅是工艺
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3M提供工艺保护解决方案，帮助您提高综合成本，包括芯片良率和工艺时间。凭借在胶粘剂和电子领域数十年的经验，我们的专家可以帮助您最大限度地提高当前和未来的工艺水平，例如异质集成芯片封装、多芯片堆叠和小芯片加工。我们的解决方案还有助于实现传感器、二极管、先进基板等组件的集成。
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半导体先进封装的主要趋势
晶圆嵌入式基板
缩小厚度尺寸的一种常见方式就是将芯片嵌入基板中。这种创新方法将集成电路嵌入基板内部，然后利用镀铜通孔将其与其他元件（其他晶粒、MEMS等）相邻排列，实现集成多功能封装。
3M公司的工艺保护解决方案可以实现基板技术中嵌入式芯片的高温和化学处理步骤。
了解3M先进封装工艺保护解决方案
我们的解决方案适用于广泛的工艺，包括FOPoP、D2W混合键合、RDL last工艺等。
探索新环境中的传感器
提升半导体设计的灵活性
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3M™ 耐高温聚酰亚胺胶带非常适用于保护传感器（重要元件，需要在半导体装配中经受各种高温和化学处理步骤）。此外，该产品还有助于提升设计灵活性。这种耐高温胶带与传感器外壳材料（如扩散层、环氧树脂、聚酰胺、LCP和其他材料）兼容，粘合后无分层或硅氧烷脱气现象。清除方便，不会产生残留物、沾污或静电，也不会损坏基材。我们的半导体工艺保护胶带是适用于传感器器件，并符合无尘室生产标准。
传感器保护工艺流程
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A. 3M™ 耐温性聚酰亚胺胶带 B. 盖板玻璃 C. 传感器芯片 D. 外壳
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- 在传感器上贴上胶带
- 一个或多个周期的回流焊工艺
- 具有良好的耐热性，可在260摄氏度的条件下进行多次回流焊接，无分层现象
- 无硅氧烷挥发
- 去离子水/溶剂清洗过程
- 移除胶带并检查残留物
- 移除后没有胶粘剂残留物
- 抗静电性能
高效能贴合与遮蔽解决方案
使半导体引线框架的生产更顺畅、更快捷
3M半导体引线框架胶带有助于提高生产效率，并减少贴晶、金/铜材料的引线键合和塑封过程的报废。随着业内趋势转向铜线键合，我们可为用户提供多种耐热型QFN引线框架遮蔽胶带方案，可承受较高焊接温度。我们的半导体引线框架耐高温贴合胶带具有出色的键合推力性能，可控制晶圆的倾斜，同时提高产量。
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即将推出
我们最新的半导体引线框架遮蔽胶带具有特别设计的热塑性层，受热后可实现压合。加工后的剥离力更大，并具有低残留特性以及出色的等离子耐受性能。
特色产品
3M™ 耐高温聚酰亚胺薄膜胶带7414
引线框架胶带的工艺流程
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A. 引线框架 B. 晶圆 C. 胶带 D. 引线 E. 塑封
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- 将胶带压合至引线框架上
- 易于压合
- 晶圆粘接
- 耐热性良好（最高可耐受210°C/410°F，持续30分钟）
- 金/铜引线键合
- 耐热性良好（最多可耐受230°C/446°F，持续30分钟）
- 等离子清洗
- 等离子耐受性能良好（可达30分钟）
- 塑封
- 耐热性良好（最多可耐受190°C/374°F，持续5分钟）
- 键合推力性能良好 - 减少晶圆倾斜
- 切割、去除胶带和最终产品
- 易于剥离
- 从引线框架和模压元件上清除后不留痕迹
- 具有良好的等离子耐受性能，适用于等离子清洗
- 将胶带压合至引线框架上
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3M™ 耐热聚酰亚胺胶带在耐热聚酰亚胺背衬上热交联丙烯酸粘合剂。这种胶带具有良好的初始粘附性，在高温成型或回流焊过程中粘附性积聚较少，并且在半导体制造中的屏蔽、保护和承载应用中具有良好的去残留性能。找到适合您的胶带。
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耐高温工艺胶带产品对比表
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