半导体过滤

化学机械抛光（CMP）工艺结合了超细磨料的化学（酸性或碱性）浆液与抛光产生的机械力，可对不平整的区域进行平整。对于多级金属化工艺，每当添加新的金属层，被覆盖涂层的缺陷就会放大。后续的光刻工艺可通过CMP提高精度。

3M可提供过滤解决方案，以控制CMP工艺中浆液的颗粒尺寸，从而确保芯片制造商继续缩小新一代设备所需电路的尺寸。

光刻技术工艺主要在晶圆上绘制电路。去除超纯化学品中多余的有机污染物，颗粒和离子金属物有助于设备尺寸最小化的发展。

3M的过滤和纯化产品可减少污染物，从而满足高性能半导体生产的需要。

电镀解决方案需要严格的颗粒和溶解气体控制，以防止沉积金属层出现缺陷和杂质。

3M可提供颗粒和溶解气体解决方案，以满足电镀工艺的需要。

在湿法加工过程中，半导体设备需要反复浸泡、浸渍或喷洒溶液，即使存在清洁步骤，晶圆表面的污染也是导致设备故障的首要原因。随着设备功能不断缩减，确保生产工艺使用的酸、碱和溶剂纯度仍然至关重要。

对于大部分酸、碱、酒精和蚀刻剂，3M都能根据具体化学应用提供合适的过滤器。

半导体生产需要大量化学品，必然会产生大量废水。不同的制造工艺会产生各种废水污染物。

3M可提供过滤解决方案，通过过滤废水来保护环境，同时满足日益严格的排放要求。

3M™ Liqui-Cel™ 膜接触器设计紧凑，可实现高效的溶解气体控制。这些气体输送装置可向兼容的液体流中添加气体，或去除溶解的气体和气泡，并采用中空纤维膜技术，有助于世界各地的相关设施提高运行效率、性能，同时确保产品质量。