3M Trizact研磨墊用於化學機械平坦化(CMP)製程
重新定义
3M™ Trizact™ 研磨垫

3M™ Trizact™ 研磨垫在半导体制造过程中呈现高度一致的性能和研磨效率。

与我们联系
3M™ Trizact™ 研磨垫有创新的表面沟槽及不互相干扰的研磨图案设计,此图为光学显微镜下的影像。

主要设计让化学机械平坦化制程 (CMP) 都能达到可预测、稳定和一致的效能。

随着像是物联网、智慧城市、行动通讯、边缘运算等驱使世界的趋势,半导体日渐增长的记忆体和速度的需求。瓶颈来自于半导体制造过程中的化学机械平坦化(CMP)从需求到良率的持续提升,使得半导体厂无法容忍元件可靠度变异。

3M利用3M™ Trizact™ 研磨垫重新定义研磨垫产品,确保半导体化学机械平坦化制程的稳定性和一致性。

  • Advanced node semiconductor manufacturing
    观看3M™ Trizact™ 研磨垫平整器的运作

    先进节点的高级效能

    3M™ Trizact™ 研磨垫平整器结合了3M在造模、表面改质和微复制方面的科学技术,为先进节点的半导体制造提供了化学机械拋光的创新研磨垫。

    • 利用设计精准的三维微复制粗糙突起和孔隙,来界定研磨垫的纹理,并帮助确保研磨垫对研磨垫效能的一致性——达到先进节点化学机械平坦化流程的要求。
    • 粗糙突起和孔隙被安排于独立的隔间,来确保晶片上的压力一致。
    • 我们高度可控的微复制制程可完成可复制且可调谐的CMP研磨垫。

3M半導體製程解決方案

降低变异性,提高重复性 — 改善晶圆良率

  • 一致性

    3M™ Trizact™ 研磨垫采用我们专有的微复制制程,为了您所需要的化学机械平坦化效能所设计,最后呈现良好一致性的研磨垫。

    • 机械平坦化中的一致性
    • 每片一致的表面图案
    • 研磨垫使用期间达到研磨使用过程中的稳定性
  • 提升良率

    一致与可重复的化学机械平坦化效能可提升晶圆良率。3M™ Trizact™ 研磨垫有助于提升平坦化效率、降低晶圆缺陷并提升生产力与产量。

    • 提升平坦化效率来以符合CMP先进制程节点的需求
    • 降低晶圆浅碟型与腐蚀型凹陷现象
    • 减少研磨垫产生的碎屑,可降低晶圆缺陷
  • 减少CMP耗材

    我们专有的显微复制技术提供了较长研磨垫寿命,无须使用钻石研磨垫修整器。

    • 降低金属污染的风险
    • 降低晶圆生产成本
    • 延长研磨垫寿命,增加机台使用时间

  • 3M Trizact研磨墊–顯微複製技術的結構
    3M™ Trizact™ 研磨垫的精准设计三维显微复制表面粗糙特征

    显微复制技术——微观世界的一致性

    3M™ Trizact™ 研磨垫使用3M核心平台中的「显微复制技术」。此技术让我们能精准地雕刻微小特征,达成极高的表面一致性。此技术最初是因投影机的光线调控特性所诞生,现已延伸至3M成千上万的产品。


Technical paper published by The Electrochemical Society (ECS), August 2016

A Microreplicated Pad for Tungsten Chemical-Mechanical Planarization

  • Microreplication in Chemical Mechanical Planarization with 3M CMP Pads

    Within-die non-uniformity (WIDNU) determined by gate height range among 3 different devices, and by the range in dielectric thickness on top of gate (i.e., TS dielectric) between 3 different devices. One center die, one middle die, and one edge die from wafers polished with POR and MR pads are submitted for cross-sectional TEM analysis, from which gate height and dielectric thickness measurements are taken.

  • Authors: Wei-Tsu Tseng, Kaushik Mohan, Ricky Hull, James Hagan, Connie Truong, Duy K. Lehuu, and David Muradian

    A microreplicated (MR) pad with regulated long-range order surface pore-asperity patterns is used for the buff polish step in a 3-platen W-CMP process for 14 nm replacement metal gate (RMG) and trench salicide (TS) planarization. This new pad requires no diamond tip conditioner and can last up to 2000 wafer passes with highly repeatable removal rates, while maintaining low and consistent defects and within-wafer uniformity. The MR pad also provides unique benefits of mitigating within-die non-uniformity as demonstrated by gate electrical conductance tests and confirmed by physical thickness measurement through cross-sectional TEM.

    In addition, topography-driven defects are reduced significantly. The mechanisms responsible for the unique performance of MR pads will be elucidated and the significance of this new CMP pad technology will be discussed.


3M半導體製程解決方案
准备好重新定义化学机械平坦化的制程了吗?

了解如何使用3M创新的CMP产品来提升您的CMP制程。

咨询3M人员
了解更多3M半导体产业解决方案 - 与我们联系
  • *為必填項

  •  
  • 提醒您:您所提供的資訊(包含原始郵件內容與後續回覆)可能會經由美國的網站伺服器系統傳輸與保存。如果您不同意您的個人資料經由上述方法傳輸,請勿使用此線上表單功能。

  • 提交

謝謝您,已收到您的申請!

感謝您對於3M半導體產業解決方案的興趣,3M同仁將會檢視您的需求,與您聯繫後續支援。

>很抱歉!

目前系統異常請稍後再試...

更改地区
中国 - 中文