3M Trizact研磨墊用於化學機械平坦化(CMP)製程
重新定义
CMP研磨垫

3M™ Trizact™ 研磨垫在半导体制造过程中呈现高度一致的性能和研磨效率。

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3M™ Trizact™ 研磨垫有创新的表面沟槽及不互相干扰的研磨图案设计,此图为光学显微镜下的影像。

我们的产品被设计成让CMP工艺每次都能达到可预测、稳定和一致的效能。

随着像是物联网、智慧城市、行动通讯、边缘运算等驱使世界的趋势,半导体日渐增长的记忆体和速度的需求。瓶颈来自于半导体制造过程中的化学机械平坦化(CMP)从需求到良率的持续提升,使得半导体厂无法容忍元件可靠度变异。

3M利用3M™ Trizact™ 研磨垫重新定义研磨垫产品,确保半导体化学机械平坦化制程的稳定性和一致性。

  • Advanced node semiconductor manufacturing
    观看3M™ Trizact™ 研磨垫的运作

    先进节点的高级效能

    3M™ Trizact™ 研磨垫结合了3M在造模、表面改质和微复制方面的科学技术,为先进节点的半导体制造提供了化学机械拋光的创新研磨垫。

    • 利用设计精准的三维微复制粗糙突起和孔隙,来界定研磨垫的纹理,并帮助确保研磨垫对研磨垫效能的一致性 — 达到先进节点CMP制程的要求。
    • 粗糙突起和孔隙被安排于独立的隔间,来确保晶片上的压力一致。
    • 我们高度可控的微复制制程可完成可复制且可调谐的CMP研磨垫。

    查看产品


3M半導體製程解決方案

降低变异性,提高重复性 — 改善晶圆良率

  • 一致性

    3M™ Trizact™ 研磨垫采用我们专有的微复制制程,为了您所需要的化学机械平坦化效能所设计,最后呈现良好一致性的研磨垫。

    • 机械平坦化中的一致性
    • 每片一致的表面图案
    • 研磨垫使用期间达到研磨使用过程中的稳定性
  • 提升良率

    一致与可重复的化学机械平坦化效能可提升晶圆良率。3M™ Trizact™ 研磨垫有助于提升平坦化效率、降低晶圆缺陷并提升生产力与产量。

    • 提升平坦化效率来以符合CMP先进制程节点的需求
    • 降低晶圆浅碟型与腐蚀型凹陷现象
    • 减少研磨垫产生的碎屑,可降低晶圆缺陷
  • 减少CMP耗材

    我们专有的显微复制技术提供了较长研磨垫寿命,无须使用钻石研磨垫修整器。

    • 降低金属污染的风险
    • 降低晶圆生产成本
    • 延长研磨垫寿命,增加机台使用时间

  • 3M Trizact研磨墊–顯微複製技術的結構
    3M™ Trizact™ 研磨垫的精准设计三维显微复制表面粗糙特征

    显微复制技术 — 微观世界的一致性

    3M™ Trizact™ 研磨垫使用3M核心平台中的「显微复制技术」。此技术让我们能精准地雕刻微小特征,达成极高的表面一致性。此技术最初是因投影机的光线调控特性所诞生,现已延伸至3M成千上万的产品。


电化学学会(ECS)发布的技术论文,2016年8月

用于W-CMP的微复制垫

  • Microreplication in Chemical Mechanical Planarization with 3M CMP Pads

    芯片颗粒内部不均匀性(WIDNU),由3个不同器件之间的栅极高度范围,以及3个不同器件之间栅极顶部的电介质厚度范围(即TS电介质)决定。本文选取了晶圆的一颗中心颗粒,一个中部颗粒和一个边缘颗粒,分别用POR研磨垫和MR pad进行抛光,并之后进行TEM横截面分析,从中进行栅极高度和电介质厚度的测量。

  • 作者:Wei,Kaushik Mohan,Ricky Hull,James Hagan,Connie Truong,Duy K.Lehuu 和 David Muradian

    一种微复制抛光垫(MR pad),表面具有大范围可调节的、经过有序加工的空隙和突起构成的规则图案,可用于3盘(platen)的W-CMP抛光工艺,用于14 nm替换金属栅极(RMG)和沟槽自对准硅化物(TS)的平坦化。这种新的研磨垫不需要传统钻石研磨盘来修整,并且能够以维持高可重复性的去除率,持续研磨多达2000次晶圆,同时保持较低且一致的缺陷和晶圆内均匀性(WIWNU)。 MR Pad还具有减小芯片颗粒内部不均匀性(WIDNU)的独特优势,如栅极电导率测试所示,并通过横截面TEM的物理厚度测量得到证实。

    此外,可以极大地减少由图形引起的缺陷。 本文将阐明MR pad独特性能的机理,并将讨论这种新的CMP研磨垫技术的重要性。

    阅读论文


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