主要设计让化学机械平坦化制程 (CMP) 都能达到可预测、稳定和一致的效能。
随着像是物联网、智慧城市、行动通讯、边缘运算等驱使世界的趋势，半导体日渐增长的记忆体和速度的需求。瓶颈来自于半导体制造过程中的化学机械平坦化(CMP)从需求到良率的持续提升，使得半导体厂无法容忍元件可靠度变异。
3M利用3M™ Trizact™ 研磨垫重新定义研磨垫产品，确保半导体化学机械平坦化制程的稳定性和一致性。
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先进节点的高级效能
3M™ Trizact™ 研磨垫平整器结合了3M在造模、表面改质和微复制方面的科学技术，为先进节点的半导体制造提供了化学机械拋光的创新研磨垫。
- 利用设计精准的三维微复制粗糙突起和孔隙，来界定研磨垫的纹理，并帮助确保研磨垫对研磨垫效能的一致性 — 达到先进节点化学机械平坦化流程的要求。
- 粗糙突起和孔隙被安排于独立的隔间，来确保晶片上的压力一致。
- 我们高度可控的微复制制程可完成可复制且可调谐的CMP研磨垫。
降低变异性，提高重复性 — 改善晶圆良率
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一致性
3M™ Trizact™ 研磨垫采用我们专有的微复制制程，为了您所需要的化学机械平坦化效能所设计，最后呈现良好一致性的研磨垫。
- 机械平坦化中的一致性
- 每片一致的表面图案
- 研磨垫使用期间达到研磨使用过程中的稳定性
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提升良率
一致与可重复的化学机械平坦化效能可提升晶圆良率。3M™ Trizact™ 研磨垫有助于提升平坦化效率、降低晶圆缺陷并提升生产力与产量。
- 提升平坦化效率来以符合CMP先进制程节点的需求
- 降低晶圆浅碟型与腐蚀型凹陷现象
- 减少研磨垫产生的碎屑，可降低晶圆缺陷
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减少CMP耗材
我们专有的显微复制技术提供了较长研磨垫寿命，无须使用钻石研磨垫修整器。
- 降低金属污染的风险
- 降低晶圆生产成本
- 延长研磨垫寿命，增加机台使用时间
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3M™ Trizact™ 研磨垫的精准设计三维显微复制表面粗糙特征显微复制技术 — 微观世界的一致性
3M™ Trizact™ 研磨垫使用3M核心平台中的「显微复制技术」。此技术让我们能精准地雕刻微小特征，达成极高的表面一致性。此技术最初是因投影机的光线调控特性所诞生，现已延伸至3M成千上万的产品。
电化学学会（ECS）发布的技术论文，2016年8月
用于钨化学机械平面化的微复制垫
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芯片内不均匀性（WIDNU）由3个不同器件之间的栅极高度范围以及3个不同器件之间栅极顶部的电介质厚度范围（即TS电介质）决定。 提交一个用POR和MR焊盘抛光过的晶片的中心裸片，一个中间裸片和一个边缘裸片进行TEM横截面分析，从中进行栅极高度和电介质厚度的测量。
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作者：曾伟Wei，考施克·莫汉（Kaushik Mohan），里奇·赫尔（Ricky Hull），詹姆斯·哈根（James Hagan），康妮·特朗（Connie Truong），杜伊·勒胡（Duy K.Lehuu）和大卫·穆拉迪安（David Muradian）
具有可调节的远距离有序表面孔隙不规则性图案的微复制（MR）垫用于3板W-CMP工艺的抛光抛光步骤，用于14 nm替换金属栅极（RMG）和沟槽自对准硅化物（TS）的平坦化。 这种新的焊盘不需要金刚石尖端调节器，并且能够以高可重复去除率持续多达2000次晶圆通过，同时保持较低且一致的缺陷和晶圆内均匀性。 MR焊盘还具有减轻管芯内部不均匀性的独特优势，如栅极电导率测试所示，并通过横截面TEM的物理厚度测量得到证实。
此外，可以极大地减少由地形引起的缺陷。 将阐明负责MR垫独特性能的机制，并将讨论这种新的CMP垫技术的重要性。
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沪公网安备31010502004501号 （沪）-非经营性-2019-0035.