随着像是物联网、智慧城市、行动通讯、边缘运算等驱使世界的趋势,半导体日渐增长的记忆体和速度的需求。瓶颈来自于半导体制造过程中的化学机械平坦化(CMP)从需求到良率的持续提升,使得半导体厂无法容忍元件可靠度变异。
3M利用3M™ Trizact™ 研磨垫重新定义研磨垫产品,确保半导体化学机械平坦化制程的稳定性和一致性。
3M™ Trizact™ 研磨垫平整器结合了3M在造模、表面改质和微复制方面的科学技术,为先进节点的半导体制造提供了化学机械拋光的创新研磨垫。
3M™ Trizact™ 研磨垫采用我们专有的微复制制程,为了您所需要的化学机械平坦化效能所设计,最后呈现良好一致性的研磨垫。
一致与可重复的化学机械平坦化效能可提升晶圆良率。3M™ Trizact™ 研磨垫有助于提升平坦化效率、降低晶圆缺陷并提升生产力与产量。
我们专有的显微复制技术提供了较长研磨垫寿命,无须使用钻石研磨垫修整器。
3M™ Trizact™ 研磨垫使用3M核心平台中的「显微复制技术」。此技术让我们能精准地雕刻微小特征,达成极高的表面一致性。此技术最初是因投影机的光线调控特性所诞生,现已延伸至3M成千上万的产品。
电化学学会(ECS)发布的技术论文,2016年8月
芯片内不均匀性(WIDNU)由3个不同器件之间的栅极高度范围以及3个不同器件之间栅极顶部的电介质厚度范围(即TS电介质)决定。 提交一个用POR和MR焊盘抛光过的晶片的中心裸片,一个中间裸片和一个边缘裸片进行TEM横截面分析,从中进行栅极高度和电介质厚度的测量。
作者:曾伟Wei,考施克·莫汉(Kaushik Mohan),里奇·赫尔(Ricky Hull),詹姆斯·哈根(James Hagan),康妮·特朗(Connie Truong),杜伊·勒胡(Duy K.Lehuu)和大卫·穆拉迪安(David Muradian)
具有可调节的远距离有序表面孔隙不规则性图案的微复制(MR)垫用于3板W-CMP工艺的抛光抛光步骤,用于14 nm替换金属栅极(RMG)和沟槽自对准硅化物(TS)的平坦化。 这种新的焊盘不需要金刚石尖端调节器,并且能够以高可重复去除率持续多达2000次晶圆通过,同时保持较低且一致的缺陷和晶圆内均匀性。 MR焊盘还具有减轻管芯内部不均匀性的独特优势,如栅极电导率测试所示,并通过横截面TEM的物理厚度测量得到证实。
此外,可以极大地减少由地形引起的缺陷。 将阐明负责MR垫独特性能的机制,并将讨论这种新的CMP垫技术的重要性。
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