3M™ 聚碳酸酯载带 3200R
- 3M ID B5005425000
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详细信息
产品亮点
- 带有非常小的口袋孔，有助于减少由于芯片锡球碰撞粘滞造成生产效率的降低
- 3M光学精密工艺制造出小于0.01毫米的超小口袋孔
- 减小超薄封装半导体应用中的口袋开口半径(元器件厚度≤0.15mm)
- 该工艺可大大减少可能污染IC芯片的碎片
- 有助于最大限度地减少芯片迁移和裂缝，最大限度地提高生产量
- 平台抬高型设计有助于防止芯片倾斜和错位
- 典型表面电阻率为10^5 ohms/sq。是静态敏感元器件的理想选择
- 兼容3M™压敏盖带和3M™热敏盖带
3M™聚碳酸酯载带 3200R是超薄超小型元器件的理想包装，令您减少对芯片滑移和焊料球粘附的担心。精密工艺可以制造出超小(<.01mm)的口袋孔，这是目前传统机械冲孔方法无法实现的。方便操作人员在运输过程中维持真空压力。这些口袋孔非常小，几乎消除了焊接凸点粘在其中的可能性。这种载带还允许极小的开口半径控制和精确的口袋公差，有助于减少模具旋转倾斜，滑移，以及半导体芯片的损坏。
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更小的口袋孔与更小的倒角半径控制
对于越来越小的半导体元器件，3M™聚碳酸酯载带3200 R具有迷你的载带口袋孔,倒角半径控制<0.1mm。
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光学精密工艺
口袋孔由3M光学精密工艺制造,相比于当前常规机械冲孔方法,可以实现更小的孔周。这一过程也减少了潜在污染IC芯片的外界杂质的数量,也几乎消除了可能导致载带污染缺陷的碎片。
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倒角半径控制
口袋倒模角半径控制小于0.1mm/0.12 mm,口袋公差低至0.02,3M™ 聚碳酸酯载带3000R有助于减少较薄、超薄和超小型元器件在运输过程中发生倾斜、滑移、开裂等事故。
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精确的口袋公差
3M™聚碳酸酯载带3200 R系列的表面抬高设计将载带和盖带之间的间隙最小化,且减少顶部口袋边缘的宽度和曲度。口袋公差±0.03 mm和低至±0.02 mm有助于最大限度地减少口袋变化,保护超薄或超小型元器件,防止其倾斜或滑移。
规格
相关资源
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| 应用 | 电子元件封装 | |||
| 应用场合 | IC, LED, WLCSP, 离散组件, 被动组件, 裸晶片 | |||
| 材料 | 聚碳酸酯 | |||
| 表面电阻 | 1.0x10⁴ Ω - 1.0x10⁸ Ω | |||
| 产品颜色 | 黑色 |
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