3M CMP研磨垫用于半导体

重新定义CMP研磨垫

在半导体制造过程中，3M™ Trizact™ CMP研磨盘拥有高度一致的性能和高效率。

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为您的化学机械平坦化(CMP)工艺提供始终如一的可持续预测、稳定一致的性能

在半导体制造过程中，化学机械平坦化(CMP)工艺在保持性能和成本效益一致性上面临着诸多挑战。不断提高产量的需求使晶圆厂的生产没有任何变化的余地，这可能会导致浪费或设备可靠性的风险。与其只能选择高度平坦化或者低缺陷率，不如将两者都收入囊中。您是否还在考虑使用传统的钻石研磨盘？其实可以有更好的选择。选择3M™ Trizact™ CMP研磨盘，重新定义您的CMP制程。

让我们一起合作！贵司如果遇到工艺上的新挑战，请联系我们，直接获得3M技术专家团队的支持。3M拥有全球各地的实验平台及强劲的制造能力，贵司可以及时获得专家团队的技术支持，并且享受本地样品测试和产品迭代升级的便利。

适用于先进节点的先进性能

每个3M™ Trizact™ CMP研磨垫的核心科技是微复制技术——也就是3M核心技术平台之一，我们能够在研磨垫表面精确地雕刻出耐用持久的微观3D形状。

这种高度可控和可调的工艺将凹凸不平和孔隙排列成独立的单元，以实现晶圆上均匀的抛光和压力，是先进节点的理想选择。研磨了1000片晶圆后，3M微复制研磨垫保持了尺寸完整性，比传统研磨垫磨损减少了15倍以上。

研磨均匀性提升

通过较低的模内不均匀性(WIDNU)水平来测量，3M的微复制CMP研磨垫在至少2000片晶圆研磨过程中表现出非常一致的晶圆到晶圆的稳定性、可重复性和均匀性[1，第5页]。在测试中，3M™ Trizact™ CMP研磨垫将栅极高度WIDNU降低了30%以上，将栅极顶部介电厚度WIDNU降低了40%以上。

信息来源： [1] 用于钨的化学机械抛光的微复制研磨垫

更快、更精准地平坦化

3M™ Trizact™ CMP研磨垫可以快速、精准、均匀地实现平坦化。传统的研磨垫可能需要在氮化硅层上沉积一层厚度超过2000埃的低效氧化层，以允许不够精确地研磨，而3M研磨垫仅需65%的量。这可以节省氧化物沉积和用于CMP工艺的研磨液。此外，研磨所需材料更少意味着研磨时间更短。测试表明，与传统的钻石研磨垫相比，去除氧化层所需的时间减少了50%以上。