3M CMP研磨垫 用于 半导体

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3M™ Trizact™ CMP研磨垫
产品特写:带有凹槽设计的3M™ Trizact™ CMP研磨垫
重新定义CMP研磨垫

在半导体制造过程中,3M™ Trizact™ CMP研磨盘拥有高度一致的性能和高效率。

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为您的化学机械平坦化(CMP)工艺提供始终如一的可持续预测、稳定一致的性能

在半导体制造过程中,化学机械平坦化(CMP)工艺在保持性能和成本效益一致性上面临着诸多挑战。不断提高产量的需求使晶圆厂的生产没有任何变化的余地,这可能会导致浪费或设备可靠性的风险。与其只能选择高度平坦化或者低缺陷率,不如将两者都收入囊中。您是否还在考虑使用传统的钻石研磨盘?其实可以有更好的选择。选择3M™ Trizact™ CMP研磨盘,重新定义您的CMP制程。

让我们一起合作!贵司如果遇到工艺上的新挑战,请联系我们,直接获得3M技术专家团队的支持。3M拥有全球各地的实验平台及强劲的制造能力,贵司可以及时获得专家团队的技术支持,并且享受本地样品测试和产品迭代升级的便利。

  • 3M™ Trizact™ CMP研磨垫具有高精度的3D微复制研磨结构

    适用于先进节点的先进性能

    每个3M™ Trizact™ CMP研磨垫的核心科技是微复制技术——也就是3M核心技术平台之一,我们能够在研磨垫表面精确地雕刻出耐用持久的微观3D形状。

    这种高度可控和可调的工艺将凹凸不平和孔隙排列成独立的单元,以实现晶圆上均匀的抛光和压力,是先进节点的理想选择。研磨了1000片晶圆后,3M微复制研磨垫保持了尺寸完整性,比传统研磨垫磨损减少了15倍以上。


  • 研磨均匀性提升

    通过较低的模内不均匀性(WIDNU)水平来测量,3M的微复制CMP研磨垫在至少2000片晶圆研磨过程中表现出非常一致的晶圆到晶圆的稳定性、可重复性和均匀性[1,第5页]。在测试中,3M™ Trizact™ CMP研磨垫将栅极高度WIDNU降低了30%以上,将栅极顶部介电厚度WIDNU降低了40%以上。

    信息来源: [1] 用于钨的化学机械抛光的微复制研磨垫

  • 该图表展示了使用3M公司的微复制研磨垫的晶圆对晶圆的稳定性、可重复性和均匀性

  • 该示意图展示了3M™ Trizact™ CMP研磨垫所需的氧化层深度。与传统的研磨垫相比去除氧化层所需的时间。
  • 更快、更精准地平坦化

    3M™ Trizact™ CMP研磨垫可以快速、精准、均匀地实现平坦化。传统的研磨垫可能需要在氮化硅层上沉积一层厚度超过2000埃的低效氧化层,以允许不够精确地研磨,而3M研磨垫仅需65%的量。这可以节省氧化物沉积和用于CMP工艺的研磨液。此外,研磨所需材料更少意味着研磨时间更短。测试表明,与传统的钻石研磨垫相比,去除氧化层所需的时间减少了50%以上。


需要研磨盘?3M可以帮忙

3M™ CMP研磨盘系列可满足不同工艺需求的应用:从用于先进制程的3M™ Trizact™ 微复制研磨盘,到用于成熟制程的钻石研磨盘和经济环保型研磨刷。


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