享受对金属敏感工艺的有效调节。3M™ CMP研磨盘涂层是研磨盘上的一层耐用涂层,可以帮助减少高达75%的金属析出。涂层结合强大的3M烧结研磨技术,进一步减少划伤缺陷。
高度工程化定制化的钻石研磨盘,利用烧结工艺,提供极其稳定均匀的钻石排布、锐利度及高度,专为半导体高阶CMP应用提供解决方案
3M™ 钻石研磨盘,使CMP研磨垫的表面焕然一新,用于一个又一个晶圆,能最大限度减少磨损,并保持一致的粗糙度以及研磨垫性能。3M™ 钻石研磨盘采用专有的烧结研磨技术,可以使钻石的寿命更长,牢牢固定住钻石。其单层钻石网格的间距高度可控,有助于更好预测并优化CMP研磨垫的使用,提高平坦化效率。
CMP工艺 | PMD/ILD, W (bulk), Cu (bulk), STI, 硬盘介质研磨, Cu (barrier), W (buff), Final Buff |
产品类型 | 钻石研磨盘 |
产品系列 | S60, A63, H80-AL, A82, S82, A98, S122, C123, A153L, A160, A165, A166, A188H, A188F, A189L, A189H, A270, A2800, A2810, A2813, A2850, A3700, A3841 |
品牌 | 3M™ |
基底材质 | 304 不锈钢, 410 不锈钢, 聚碳酸酯 |
基底样式 | Disc (Beveled Edge), 砂碟, Disc (Double-sided) |
应用 | 高级节点(存储和逻辑), 晶圆制造, 硬盘驱动器制造, CMP |
底座直径 (公制) | 95 毫米, 101.6 毫米, 107.95 毫米 |
研磨矿砂类型 | 镍基合金上烧结图形化钻石 |
磨料工作面 | 整面型, 环状型 |
钻石直径 | 63 μm, 74 μm, 90 μm, 151 μm, 181 μm, 251 μm |
产品技术文件
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