无论是网络基础设施,还是消费电子产品,都能利用3M™ 氮化硼冷却填料打造5G设备,保持低温,并帮助我们实现互通互联。
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在电信行业中,极限总是不断被打破,从不断提高的数据密度到更快的处理速度和更小的设计,5G设备不断创造新的可能。更多的能源密集型部件被集成到更紧凑的空间,从而增加了热通量。这会产生重大的设备设计挑战,即在需要保证散热的同时,优化信号完整性。
使用3M™ 氮化硼冷却填料可以让您同时获得强大的热管理和介电性能,其固有热导率高达400W/m·K,可添加到5G设备的聚合物材料中,从而增强层内和贯通面散热性能。该材料在1 GHz时具有很低的耗散因数(0.0005),有助于大幅减少信号功率损耗,并实现高频数据传输。
3M™ 氮化硼冷却填料有多种等级,可准确满足您的5G应用,包括网络基础设施、消费电子产品、支持5G的汽车、电力电子产品等。
使用3M™ 氮化硼冷却填料,将优异的导热性直接集成到您的设备材料部件中。3M™氮化硼冷却填料的固有电导率高达400 W/m·K(比氧化铝填料高8-20倍),可帮助您提高设备性能、增加可靠性,并节约能源。该材料可广泛添加至热塑性塑料、热固性塑料、弹性体和其他聚合物材料中。
查看填料含量不同的环氧树脂导热性结果。在30%的体积下,电导率可达到1.55 W/m·K。我们的材料具有多种规格,不仅仅是导热性能,可帮助您确定贴合您应用的填料。
随着5G技术的不断发展,人们对增加信号传输的创新解决方案需求不断增大。对于基站和其他设备的印刷电路板中使用的覆铜板而言,情况更是如此。不幸的是,许多导热填料的介电性能并不理想,包括相对较高的耗散因数。较高的耗散因数会干扰信号的完整性。
3M™ 氮化硼冷却填料解决了这一挑战,其介电常数(Dk)为4.30,在1 GHz时耗散因数(Df)非常低(0.0005),可帮助您在散热的同时提高信噪比,并促进高速数据传输。我们的氮化硼冷却填料可在广泛的频率和温度范围内保持一致的耗散因数。
许多导热填料也具有导电性能,可能需要额外的绝缘层来避免相邻电路短路,并保持电气系统的完整性。这些多层结构会增加部件尺寸和成本,同时阻碍有效散热。
3M™ 氮化硼冷却填料集高导热性和强大的电绝缘性能于一身,其固有电阻率大于10¹⁵ Ω⋅cm,击穿电压大于67 kV/mm。与其他陶瓷填料(如氧化铝或氮化铝)相比,3M™ 氮化硼冷却填料的绝缘性更佳,从而可大幅减少对多层结构的需求。
除热性能和介电性能外,3M™ 氮化硼冷却填料还具有出色的加工性能,可帮助您减少磨损并延长制造设备的使用寿命。
该柔软、非研磨性物质的莫氏硬度为1。可用于复合、挤压和注塑成型,其高材料纯度有利于可靠的加工和应用。该材料对粘度的影响很低,您能够根据加工需求精确定制聚合物材料的粘度。
在5G设备的热管理方面,少即精(密度越低,性能越好)。与矿物或氧化铝填料相比,3M™ 氮化硼冷却填料体积密度低,可帮助您在较低的化合物密度下实现更高的导热系数。它们可以帮助您确定精确的导热系数值,同时还可以减轻最终应用的重量。
当添加到环氧树脂中时,3M™ 氮化硼冷却填料的体导热系数为15.86 W/m·K ,而化合物密度仅为1.76g/cm³。其他类型聚合物的预期结果相似。
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